積層型プローブの特徴
1.接触抵抗値が安定している。（精密な測定に威力を発揮します）
半積層型プローブは、スプリングプローブのように複数のパーツ構成がなく、一枚の金属板でコンタクトするので、構造的に安定した接触抵抗で測定できます。
また、押し込み量（ストローク）による抵抗値の変化もありません。
安定した接触抵抗値は、精密な測定に欠かせない機能です。
2.大電流、高電圧に対応できる。 （パワー半導体への印加、測定に貢献します。）
コイルバネを使用したプローブでは、熱によるバネ性の劣化が生じます。
積層型プローブは、コイルバネを使用せず、板バネの特徴を利用してコンタクトしますので、熱によるバネ性の劣化に強く、大電流、高電圧を印加するパワー半導体の測定に適しています。
また、多点でコンタクトし印加する事ができるので、半導体への負担を軽減し、全数測定のリスクを軽減します。
3.狭ピッチに対応できる。（最大0.05ピッチまで可能です。）
狭ピッチに配列された接点や、半導体のリード部、コネクターの接点などに、最大0.05ピッチまでコンタクトする事ができます。
プローブ本体の板厚と、絶縁フィルムの厚みとの構成を変化させる事により、様々なピッチへの対応を可能としています。
また、狭ピッチを利用してケルビン測定に応用することもできます。
＜0.05ピッチの構成＞
・ プローブ本体の板厚 : t = 0.03
・ 絶縁フイルム厚み : t = 0.02
4.コンタクトする荷重を調整できる。（測定物の個性に合わせたコンタクト）
プローブ本体の形状と、補助用のV字型板バネの厚みで、コンタクトする荷重を調整しています。
それぞれの形状と厚みを変化させる事で、高荷重から低荷重まで無段階に調整する事が可能です。
積層プローブのコンタクト動画
ケルビン測定への応用
積積層型プローブの特徴を利用し、狭ピッチでのケルビン測定を実現できます。 下記の写真は、その実用事例となります。
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パワー半導体専用、大電流多点式積層プローブ（特許出願中）
積層型プローブの特徴である、金属の板（プローブ）と、絶縁体の積層方式を応用し、パワー半導体専用の多点式積層プローブを開発しました。
特徴①
プローブ先端を波型にし、多点で半導体に接触します。
これにより、電流、電圧を印加する量を分散でき、半導体への負担を軽減します。
特徴②
垂直に1ミリ程度可動しますので、コンタクト痕を最小限に抑えることができます。
特徴③
コンパクトな設計で、取り付けスペースの確保が容易です。
